Etron Technology, Inc.


		January
			256Kb×16图形显示用DRAM验证成功，为国人第一颗EDO DRAM。
		October
			3.3V 32Kb×32 Pipeline Burst SRAM验证成功。
		December
			256Kx16 EDO DRAM荣获八十四年度新竹科学园区「优良厂商创新产品奖」。


		March
			Special Byte-wide 1Mb(64Kb×16)DRAM进入量产。
		July
			64Kb×8 SRAM开发成功。
		August
			圆满完成国家级「次微米计画」，中华民国具有自主设计制造8吋晶圆及次微米级产品之能力，产业界开始更大量投资半导体产业，因此获工研院电子所颁与「功在次微米」奖章之殊荣。


		February
			与工研院电子所推动国家级次微米计划，定义出华人自主研发之0.5微米16Mb DRAM 及4Mb SRAM之技术，并展开试做。
		November
			开发出华人第一颗4Mb DRAM。