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大事纪要

2016 ~ 20202011 ~ 20152006 ~ 20102001 ~ 20051996 ~ 20001991 ~ 1995

    January
  256Kb×16图形显示用DRAM验证成功,为国人第一颗EDO DRAM。  
    October
  3.3V 32Kb×32 Pipeline Burst SRAM验证成功。  
    December
  256Kx16 EDO DRAM荣获八十四年度新竹科学园区「优良厂商创新产品奖」。  


    March
  Special Byte-wide 1Mb(64Kb×16)DRAM进入量产。  
    July
  64Kb×8 SRAM开发成功。  
    August
  圆满完成国家级「次微米计画」,中华民国具有自主设计制造8吋晶圆及次微米级产品之能力,产业界开始更大量投资半导体产业,因此获工研院电子所颁与「功在次微米」奖章之殊荣。  


    May
  开发出华人第一颗 16Mb DRAM。  
    July
  开发出华人第一颗4Mb SRAM。  


    October
  32Kb×8 SRAM 进入量产。  


    February
  与工研院电子所推动国家级次微米计划,定义出华人自主研发之0.5微米16Mb DRAM 及4Mb SRAM之技术,并展开试做。  
    November
  开发出华人第一颗4Mb DRAM。