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大事纪要

2016 ~ 20202011 ~ 20152006 ~ 20102001 ~ 20051996 ~ 20001991 ~ 1995

    February
  8Mb低功率静态随机存取记忆体(LP SRAM)设计完成,进入试产。  
    December
  200MHz 2Mb×32 SDRAM及4Mb×16 DDR DRAM进入量产。  


    February
  183MHz 1Mb×16 SDRAM开始量产出货。  
    March
  公司荣获第七届经济部「产业科技发展杰出奖」。  
    August
  4Mb×16及8Mb×8 SDRAM产品功能验证完成,开始投片试产。  
    September
  完成2Mb×32 SDR DRAM产品之设计,并开始投片试制。  
    October
  卢董事长获选为美国国家工程学院院士。  
    November
  完成4Mb Ultra-Low Power SRAM之设计,并开始投片试制。  


    February
  卢董事长荣获国际半导体电子界最高荣誉技术奖章:“1998 IEEE Solid-State Circuits Award” with the citation“for pioneering Contributions to high speed dynamic memory design and cell technology”。  
    May
  公司股票于15日在中华民国证券柜台买卖中心正式挂牌。  
    September
  完成使用32Mb SGRAM产品试产,并开始投片进行量产。  
    December
  16Mb SGRAM产品荣获八十七年度新竹科学园区「优良厂商创新产品奖」。  


    January
  完成2Mb(64Kb×32)Pipeline Burst SRAM试产,并开始进行量产。  
  开发出华人第一颗,世界第六颗之8Mb SGRAM,并开始进行量产。  
    June
  开发出世界第一颗16Mb SGRAM,并开始进行量产。  


    November
  卢超群董事长获选为第一届台湾半导体产业协会(TSIA)理事,并连任迄94年仍续担任常务理事一职。