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新闻集锦
 
钰创科技EV2669 USB3.0 快闪记忆碟控制晶片,缔造全球最快读取/写入速率之世界级佳绩;
January 08, 2013
 
发布日期:2013年2月19日

钰创科技发表全新USB3.0加速器系列 —
EV2669 USB3.0 快闪记忆碟控制晶片,搭配MLC时,缔造全球最快读取/写入速率达260/235 Mega Bytes之世界级佳绩;
已获国际客户采用并在市场上推出「超高速度」著称之USB3.0快闪记忆碟 !

钰创科技(Etron Technology, Inc.;上柜股票代号:5351)发表全新USB3.0加速器(Flash Drive Accelerator,FDA)系列,其中EV2669 USB3.0快闪记忆碟控制晶片搭配MLC (Multi-Level Cell )同步式快闪记忆体(NAND FLASH)时,缔造全球最快存取速率之世界级佳绩,其读取/写入传输速率可达每秒260/235 Mega Bytes以上。 EV2669单晶片采独特的二通道快闪记忆体介面,具备先进之72位元之纠错能力(ECC)可支援多家快闪记忆体大厂于2奈米及1奈米先进制程之MLC/ TLC NAND Flashes;在硬体规格上,EV2669可支援16CE或8CE两个版本,封装可采88-pin或64-pin QFN封装。

钰创科技之USB3.0加速器产品系列皆透过该公司自有之快闪记忆碟加速器技术(FDA Technology)开发完成,无须外挂驱动程式,即可达到全球最快存取速率之特性。此外,该产品系列支援存取容量最高可达128GB,满足快闪记忆体储存客户之高容量需求;而无须透过多颗IC作整合,而将整个系统整合到单一颗晶片(SoC)内,大符缩短系统厂商导入设计时间,快速在市场上推出「超高速度」著称之USB3.0快闪记忆碟,以抢占市场商机,目前该产品已得获国际客户的支持与采用。

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