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2019/05/20

钰创科技完整之专精型DRAM产品结合新型RPC DRAM技术开发持续提供5G宽频通讯、AI终端装置与360度全场摄影之记忆体方案

发布日期:2019年05月20日
【新闻参考资料】

钰创科技完整之专精型DRAM产品
结合新型RPC DRAM技术开发
持续提供5G宽频通讯、AI终端装置
与360度全场摄影之记忆体方案

钰创科技(台湾上柜股票代号:5351)提供完整之专精型DRAM产品规格包括SDR、DDR、DDR2、DDR3、与LP DDR2等,输出入位元数从4到64位元,容量从16Mb、64Mb、128Mb、256Mb、512Mb、1Gb、2Gb、4Gb到8Gb,其中高容量产品已使用25奈米制程量产。产品皆可支援消费性市场的商业规格、严格使用环境的工业规格、与最高品质及可靠度要求之车用规格。

钰创科技并开发了一种新型DRAM架构–RPC DRAM技术,提供x16 DDR3–LP DDR3数据频宽,采用仅需22个开关信号之50引脚FI-WLCSP封装, 256 Mb体积为2 mm x 4.7 mm,所有引脚均符合业界标准之400微米锡球间距安装在周边,使其成为许多可穿戴之影音物联网设备的理想存储器。

此新型RPC DRAM也具备特殊应用 (ASIC) 记忆体的优点;采钰创RPC DRAMTM之实体层 (Physical Layer,PHY) ,可有22个开关信号,而输出共有50PHY接合垫;比一般相同频宽之DDR3 PHY,所需的47个开关讯号 (x16 data bus) 及达100 PHY接合垫,仅需不到一半的接合垫用于特殊应用之记忆体接口。

根据特殊应用之ASIC系统设计,假设接合垫限制了边缘粘合晶粒具有240个引脚,每侧有60个接合垫,为DDR3接口预留了100个接合垫;采钰创PRC DRAMTM实体层总共可节省50个 (每侧少12个) 接合垫。比较此两种记忆体方案,采用钰创RPC DRAMTM的ASIC 系统明显小了56.25%。

在新一波的智慧浪潮下,消费性电子产品成为多元功能交互应用之载具,须具备智慧通讯、资料影音即时传输等功能。因应高频宽、低延迟、与无所不在的连网需求,推动了5G通讯的规范与低功耗广域网路 (LPWAN, Low Power Wide Area Network) 的高速发展。而AI (人工智慧) 科技由云端运算逐步走向边缘运算,更推动了终端装置的智慧化发展。钰创科技拥有完整的专精型DDR2/DDR3 DRAM产品、包含KGD (Known Good Die) 的方案、结合SPI NAND,提供布建各种连网通讯专用型闸道器 (Gateway) 网路系统之记忆体方案,协助云端伺服器与终端装置的网路连结;同时也提供给智慧家庭入口核心装置之智慧音箱使用,使其能从单纯的声音控制提升到具备深度学习的类神经网路运算来处理语音讯息。

钰创科技高频宽与低容量特性的行动式记忆体256Mb LPDDR2产品,其低功耗与32 I/O的规格,不仅应用于4K显示器的时序控制晶片,也支援AI晶片人脸辨识方案,加速影像处理功能,并深度整合于360度全场摄影方案中,提供高解析度的3D立体影像录影。

钰创科技新型DRAM–RPC DRAM技术将可提供影音多媒体串流系统中所需缓冲记忆体之最小封装,并协助特殊应用ASIC系统设计极小化,能导入小型AIOT系统架构中、支援穿戴式装置,以便于应用到生活周遭,加速终端人工智慧普及化!

关于钰创科技
钰创科技股份有限公司(TPEx: 5351.TW)为世界级无晶圆厂商(Fabless)及异质性整合(Heterogeneous Integration, HI) IC设计公司,专注于消费型电子产品之专精型缓冲记忆体产品(Application-Driven Buffer Memory)、裸晶记忆体(KGDM)及新型RPC DRAM。另有系统晶片(System-In-Package)产品开发,包括: USB Type-C高速传输晶片组及3D深度影像与360度影像撷取晶片。

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