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新聞集錦
 
鈺創科技EV2669 USB3.0 快閃記憶碟控制晶片,締造全球最快讀取/寫入速率之世界級佳績
January 08, 2013
 
發佈日期:2013年2月19日

鈺創科技發表全新USB3.0加速器系列 —
EV2669 USB3.0 快閃記憶碟控制晶片,搭配MLC時,締造全球最快讀取/寫入速率達260/235 Mega Bytes之世界級佳績;
已獲國際客戶採用並在市場上推出「超高速度」著稱之USB3.0快閃記憶碟 !

鈺創科技(Etron Technology, Inc.;上櫃股票代號:5351)發表全新USB3.0加速器(Flash Drive Accelerator,FDA)系列,其中EV2669 USB3.0快閃記憶碟控制晶片搭配MLC (Multi-Level Cell)同步式快閃記憶體(NAND FLASH)時,締造全球最快存取速率之世界級佳績,其讀取/寫入傳輸速率可達每秒260/235 Mega Bytes以上。EV2669單晶片採獨特的二通道快閃記憶體介面,具備先進之72位元之糾錯能力(ECC)可支援多家快閃記憶體大廠於2奈米及1奈米先進製程之MLC/ TLC NAND Flashes;在硬體規格上,EV2669可支援16CE或8CE兩個版本,封裝可採88-pin或64-pin QFN封裝。

鈺創科技之USB3.0加速器產品系列皆透過該公司自有之快閃記憶碟加速器技術(FDA Technology)開發完成,無須外掛驅動程式,即可達到全球最快存取速率之特性。此外,該產品系列支援存取容量最高可達128GB,滿足快閃記憶體儲存客戶之高容量需求;而無須透過多顆IC作整合,而將整個系統整合到單一顆晶片(SoC)內,大符縮短系統廠商導入設計時間,快速在市場上推出「超高速度」著稱之USB3.0快閃記憶碟,以搶佔市場商機,目前該產品已得獲國際客戶的支持與採用。

如須進一步資訊,請上網www.etron.com.tw查詢。


公司發言人:徐初發 協理
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